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硅-硅键合片

当外延层厚度大于50um,硅-硅键合片具有更好的成本优势。 


对于高压器件,例如MOSFET和IGBT来说,是可行的替代材料。


良好的TEM和SRP测试结果,确保硅-硅键合片的质量。       

    

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